酸化膜やフォトレジスト膜の形成

ＭＯＳの「Ｏ」にあたる酸化膜（絶縁性膜）ですが、現在の主流は二酸化シリコン（ＳiＯ2）です。

またＳiＮやＳi3Ｎ4などのシリコン窒化膜が使われることもあります。

二酸化シリコン膜形成の代表的な手法の１つが、熱酸化法と呼ばれるものです。

これはシリコンの表面を高温で酸素などの酸化剤にさらし、直接的に化学反応（酸素と結合する酸化反応）をひきおこすものです。

またＣＶＤという手法もあります。

これはChemical Vapor Deposiionの略で、化学（的）気相成長と訳されます。

シラン（ＳiＨ4）などシリコン原子を含んだ気体分子を基板に吹き付けて、化合物を成長させていくというものです。

こちらはシリコン窒化膜などにも用いられます。

ＣＶＤの場合、化学反応を起こさせる、あるいは加速させるために何らかのエネルギーを供給する必要があります。

通常は熱エネルギーが利用されます。

特にこの場合、圧力を大気圧程度にする常圧方式と、圧倒的に低くする減圧方式とがあります。

また熱でなくプラズマをエネルギー源とする場合もあります。

次にフォトレジスト膜について説明します。

これは24章で説明した電子線レジストと同じように、光（や電子線）を当てることでその下の物質を保護するかどうかが決まる物質です。

レチクルの場合、保護する対象はクロムでしたが、ウェハーの場合は酸化膜です。

フォトレジストとは感光性樹脂を有機溶媒に溶かしたもので、したがって液体という性質を使って塗布することができます。

具体的にはスピンコート（回転塗布）法というもので、毎分数千回転という高速回転させたウェハーの中央に微量のフォトレジスト溶液をたらして均一化させます。